部  门： 微电子科学与工程系

职  称： 讲师

邮  箱： yanghongjiao2004@xtu.edu.cn

办公室：物理楼619

杨红姣，硕士生导师，九三学社社员，湖南省仪器仪表学会理事

学习工作经历

2003年7月—至今         湘潭大学 任教

2014年9月—2019年6月  湘潭大学 凝聚态物理 博士毕业

2004年9月—2007年6月  湘潭大学 微电子学与固体电子学 硕士毕业

1999年9月—2003年6月  湘潭大学 测控技术与仪器专业 本科毕业

研究方向

集成电路设计，集成电路片上静电保护和高压静电保护器件

科研项目

[1]湖南省教育厅优秀青年项目，用于单芯片集成三维成像系统的单光子雪崩二极管的最小尺寸及其性能研究，19B557，2019-2021。

[2]湖南省教育厅一般项目，基于BJT的高阶电流模式对数域滤波器设计，08C865，2008-2010。

[3]湘潭大学博士启动基金项目，基于深亚微米CMOS工艺的单光子雪崩二极管性能研究，19QDZ54，2019-2024。

[4]湘潭大学科研项目，用于单芯片集成三维成像系统的单光子雪崩二极管的优化设，16XZX07，2017。

[5]省科技厅项目，车用超高压新型可控硅 ESD器件及其维持电压估算模型研究，2019JJ50609，2019-2021，参与。

[6]国家自然科学基金青年科学基金项目，嵌套型双向可控硅TVS器件及其片上集成技术研究，61704145，2018-2020，参与。

[7]国家自然科学基金面上项目，极弱光光电探测器关键技术探索与信号处理电路单芯片集成研究，61774129，2018-2021，参与。

[8]国家自然科学基金面上项目，多涡卷混沌吸引子特性及忆阻型生成电路设计与应用研究，61471310，2014-2018，参与。

[9]湖南省自然科学基金青年基金项目，20位高性能Sigma-Delta调制器的研究，12JJ4064，2012-2014，参与。

[10]湖南省教育厅重点项目，高性能紫外探测器新结构及其CMOS读出电路研究，11A116，2011-2013、参与。

代表性成果（专著、论文和专利等）

[1]Jun Deng, Hongjiao Yang*, et al. A PMOS-embedded low-voltage triggered silicon controlled rectifier ESD protection device for 3.3 V I/O application[J]. Microelectronics Reliability, 2025, 168: 115706.

[2]Zhou F, Yang H*, Wang Y, Deng J, et al. Design and implementation of a floating Pwell MTSCR for low-voltage ESD protection[J]. Microelectronics Journal, 2025, 156: 106512.

[3]He Shaoxuan, Yang Hongjiao, Li Chengqing*, S Xianhui. Cryptanalyzing an Image Encryption Scheme Using Synchronization of Memristor Chaotic Systems[J]. International journal of bifurcation and chaos in applied sciences and engineering, 2024, 34(11). DOI:10.1142/S0218127424501384.

[4]Liu W, Yang H*, Wang Y, et al. Design of a LVTSCR triggered SCR device for low voltage ESD protection[J]. Microelectronics Journal, 2024, 149.

[5]Wei Liu, Hongjiao Yang*, Yang Wang, Shuang Li, Hongke Tao, Zhiwen Zeng. Implementation of high failure current Schottky-embedded DDSCR[J]. Microelectronics Reliability, 2024, 154.

[6]YANG Hong-Jiao, JIN Xiang-Liang*, Minimization design of guard ring size of p-well/DNW single photon avalanche diode[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 37(5): 527-532, 2018.

[7]Jun Deng, Hongjiao Yang*, Yang Wang, Haotian Chen, Fengfeng Zhou, Beibei Nie, Hongke Tao, Zhiwen Zeng. Research on the Layout of Silicon Controlled Rectifier Electrostatic Discharge Protection Devices Based on 0.18μm CMOS Technology[C]. Electronic Information Engineering and Computer Communication, (EIECC 2024), Wuhan, China, 2024, pp. 200-203.

[8]Hong-Jiao Yang, Xiang-Liang Jin*, Device and mixed-mode simulations of single photon avalanche diode, IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2016.10.25 -2016.10.28. Hangzhou, China, 2017.

[9]Hongjiao Yang, Xiangliang Jin*, Lizhen Tang, Weihui Liu, Jia Yang, Simulation and Analysis of P+/N SPAD for 3D Imaging, 11th IEEE International Conference on ASIC (ASICON 2015), 2015.11.3 -2015.11.6. Chengdu, China, 2016.

[10]Yang Hong-jiao, Jin Xiang-liang*, Zhou Xiao-ya, Chen Chang-ping, Luo Jun, Verilog-A modeling of SPAD for circuit simulations, International Symposium on Photoelectronic Detection and Imaging 2013 (ISPDI2013), 2013.6.25- 2013.6.27.Beijing，China，2013.

[11]杨红姣，邓俊，汪洋，陈浩天，周峰峰，刘威. 肖特基二极管触发的单向可控硅静电防护器件及制作方法，2025.10.17，中国发明专利，ZL 2024 1 1327640.3。

[12]杨红姣，周峰峰，汪洋，邓俊，陈浩天. 高维持电压的单向可控硅静电防护器件及其制作方法，2025.10.31，中国发明专利，ZL202411782033.6。

[13]金湘亮，杨红姣. 一种基于CMOS图像传感器工艺的NP型单光子雪崩二极管，2017.9.12，中国发明专利，ZL 201410846149.1。

[14]金湘亮，杨红姣. sen保护环n+/p-well SPAD器件，2018.7.12，BS.185003249。集成电路布图登记。

[15]金湘亮，杨红姣. p-sub保护环n+/p-well SPAD器件，2018.7.12，BS.185003230。集成电路布图登记。

[16]金湘亮，杨红姣. 低噪声sen保护环n+/p-well SPAD器件，2018.7.12，BS.185003265。集成电路布图登记。

[17]金湘亮，杨红姣. 低噪声n-well保护环n+/p-well SPAD器件，2018.7.12，BS.185003257。集成电路布图登记。

[18]金湘亮，杨红姣. n-well保护环n+/p-well SPAD器件，2018.2.27，BS.185000177。集成电路布图登记。

荣誉奖励

[1]金湘亮，杨红姣，陈长平，江震宇，赵永嘉，陆雪明，王广武，面向极弱光新型硅基光电探测器及CMOS集成读出电路研发，中国电子学会，中国电子学会科学技术奖，三等奖，2015年。

[2]金湘亮，汪洋，谢亮，杨红姣，崔杨，刘航，马铭麟，高压工艺用芯片级集成的静电释放器件新技术与应用，湖南省人民政府，湖南省科学技术进步奖，三等奖，2015年。